Número do Produto do Fabricante:
IPD12N03LB G
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IPD12N03LB G-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
Descrição Detalhada:
N-Channel 30 V 30A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Inventário:
13064070
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IPD12N03LB G Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
-
Série
OptiMOS™
Empacotamento
Tape & Reel (TR)
Status da peça
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
30 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
11.6mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2V @ 20µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
11 nC @ 5 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1300 pF @ 15 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
52W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO252-3-11
Pacote / Estojo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número do produto base
IPD12N
Folha de Dados & Documentos
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
IPD12N03LBG
IPD12N03LBGXT
SP000016413
IPD12N03LB G-ND
IPD12N03LBGINCT
IPD12N03LBGINDKR
IPD12N03LBGINTR
Pacote padrão
2,500
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
DMN3016LK3-13
FABRICANTE
Diodes Incorporated
QUANTIDADE DISPONÍVEL
11562
NÚMERO DA PEÇA
DMN3016LK3-13-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.15
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
Certificação DIGI
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